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高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位。
時(shí)間:2024-08-13
北京市1.Q值測(cè)量 a.Q值測(cè)量范圍:2~1023; b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔; c.標(biāo)稱誤差 頻率范圍25kHz~10MHz100kHz~10MHz 固有誤差≤5%±滿度值的2%≤5%±滿度值的2% 工作誤差≤7%±滿度值的2%≤7%±滿度值的2% 頻率范圍10MHz~60MHz10MHz~160MHz 固
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北京市介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀裝置: 2.3.1 平板電容器極片尺寸::Φ38mm和Φ50mm二種. 2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率:0~8mm, ±0.01mm 2.3.3 圓筒電容器線性: 0.33 pF /mm±0.05 pF, 2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍:±12.5mm(±4.2pF) 2.3.5 裝置插頭間距:25mm±0.1mm 2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10
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北京市材料高頻介電常數(shù)測(cè)定儀 平板電容器極片尺寸::Φ38mm和Φ50mm二種. 2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率:0~8mm, ±0.01mm 2.3.3 圓筒電容器線性: 0.33 pF /mm±0.05 pF, 2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍:±12.5mm(±4.2pF) 2.3.5 裝置插頭間距:25mm±0.1mm 2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4
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北京市介電常數(shù)測(cè)試儀/介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率測(cè)試儀的詳細(xì)描述: 電: / 介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 概述 A型高頻Q表和C型高頻Q表主要區(qū)別 AC 測(cè)試頻率范圍25kHz~60MHz100kHz~160MHz
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北京市固體材料介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
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北京市介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo): 2.1 tanδ和ε性能: 2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。 2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍: tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50 2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz): tanδ:±5%±0.00005,ε:±2% 工作頻率范圍:50kHz~50MHz 四位數(shù)顯,壓控振蕩器 Q值
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