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發(fā)布時(shí)間: 2024-08-14
產(chǎn)品型號(hào):
廠商性質(zhì): 生產(chǎn)廠家
所 在 地: 北京市海淀區(qū)上地科技園上地十街1號(hào)
產(chǎn)品特點(diǎn): 介電常數(shù)測(cè)試儀主要特點(diǎn):空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹(shù)脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹(shù)脂大約是3, 由于樹(shù)脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低,。
介電常數(shù)測(cè)試儀主要特點(diǎn):空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹(shù)脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹(shù)脂大約是3, 由于樹(shù)脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低,。
介電常數(shù)測(cè)試儀特點(diǎn):
◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào) 源輸出口,所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。
◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
介電常數(shù)測(cè)試儀儀器技術(shù)指標(biāo):
Q值測(cè)量:
a.Q值測(cè)量范圍:5~999。
b.Q值量程分檔:30、100、300、999、自動(dòng)換檔。
c.標(biāo)稱誤差
頻率范圍:25kHz~10MHz;
固有誤差:≤5%±
滿度值的2%;
工作誤差:≤7%±滿度值的2%;
頻率范圍:10MHz~50MHz;
固有誤差:≤7%±滿度值的2%;
工作誤差:≤10%±滿度值的2%。
振蕩頻率:
a.振蕩頻率范圍:
25kHz~50MHz;
b.頻率分檔
25~74kHz,
74~213kHz,
213-700kHz,
700kHz~1.95MHz,
1.95MHz~5.2MHz,
5.2MHz~17MHz,
17~50MHz。
電感測(cè)量:
a.測(cè)量范圍:0.1μH~1H。
b.分 檔:分七個(gè)量程。
0.1~1μH,
1~10μH,
10~100μH,
0.1~lmH,
1~10mH,
10~100mH,
100 mH~1H。
電容測(cè)量:
a.測(cè)量范圍:1~460pF(460pF以上的電容測(cè)量見(jiàn)使用規(guī)則);
b.電容量調(diào)節(jié)范圍
主調(diào)電容器:40~500pF;
準(zhǔn) 確 度:150pF以下±1.5pF;150pF以上±1%;
微調(diào)電容量:-3pF~0~+3pF; 準(zhǔn) 確 度:±0.2pF。
介電常數(shù)測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo):
2.1 tanδ和ε性能:
2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。
2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍:
tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50
2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz):
tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%
工作頻率范圍:50kHz~50MHz 四位數(shù)顯,壓控振蕩器
Q值測(cè)量范圍:1~1000三位數(shù)顯,±1Q分辨率
可調(diào)電容范圍:40~500 pF ΔC±3pF
電容測(cè)量誤差:±1%±1pF
Q表殘余電感值:約20nH
介電常數(shù)測(cè)試儀工作頻率范圍是10kHz~120MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。
本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線性電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品,配用Q表作為指示儀器。
絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。
同樣,由測(cè)微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化,通過(guò)公式計(jì)算得到介電常數(shù)。